本文提出一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路,对电路的工作原理、性能特性进行分析,并建立仿真模型。该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET组成,副边次级驱动电路由两个MOSFET及一双向开关管组成。通过理论计算与仿真分析可知该驱动电路具有驱动效率高电路拓扑与工作原理2.1电路拓扑传统的功率MOSFET管驱动电路如图1所示。它的驱动损耗包括功率MOSFET管的栅极电荷引起的损耗Pcap，2个驱动MOSFET管的栅极电荷引起的损耗Pdr_sm和2个驱动MOSFET管的等效输出电容引起的损耗Psw_sm

转载 ，低损驱动电路-数控滚圆机弯管机折弯机张家港数控弯管机滚弧机即Pcap=QgUcfs(1)Pdr_sm=2Qg_smUdrfs(2)Psw_sm=2Coss_smU2Cfs(3)式中:Qg为功率管的栅极电容充电至UC时的总电荷;fs为开关频率;Qg_sm为驱动管的栅极电容充电至Udr的总电荷;Coss_sm为驱动管等效输出电容。本文提出的一种基于电荷保持的MOSFET驱动电路如图2所示。该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET管M1－M4组成，副边次级驱动电路由两个MOSFET管Q3－Q4及一双向开关管S组成。Q1、Q2为需要被驱动的MOSFET管。M1—M4管子容量很小，用传统驱动电路驱动即可。图1传统的功率MOSFET管驱动电路图2一种基于电荷保持的MOSFET驱动电路2.2工作过程图2所示电路的主要工作波形如图3所示，工作阶段如图4所示，具体工作过程如下。图3工作时序工作时序分析如下。(1)工作模态一:［t0，t1］阶段。t0时刻前Q1导通。t0时刻M1、M4导通，M1、M4导通过程可实现零电压开通软开关，故Vds_M1=Vds_M4=，Vds_M2=Vds_M=Vin;变压器T励磁，原边绕组励磁电流ip线性上升，t1时刻达到最大值。在t1时刻前使双向开关S导通，由于Von?、既能驱动单管也能驱动双管、驱动电路的开关部分能实现软开关等优点。低损驱动电路-数控滚圆机弯管机折弯机张家港数控弯管机滚弧机 转载