为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,放电损伤机理-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港液压弯管机折弯机滚弧机使器件发生击穿烧毁。重复步骤2~5，直到确定只有唯一一个管脚组合具有最小损伤电压，则该管脚组合为对ESD最敏感的端对；7）比较ESD注入后晶体管损伤时电参数的变化情况，确定最先发生变化的电参数，记为该器件的ESD最灵敏参数。静电电磁脉冲注入流程图如图2所示。2微波半导体晶体管损伤模型的建立2.1静电放电模型由于静电放电是一个复杂多变的过程，很难通过实验得到具有重复性的放电结果[1]。

转载 因此，为了正确评估ESD的危害及其效应，根据其特点建立了相应的ESD模型。对于微电子器件，通常采用的放电模型有人体图1ESD注入实验装置示意图结反向击穿电压；Rc为PN结击穿状态的串联电阻。当人体模型静电电磁脉冲注入CG392的反偏结时，等效电路中的具体参数如下：Ra=1500，Ca=100pF，Rc=33，Uc=4V。Rb远小于Ra和Rc，因此可以忽略不计。当对器件进行ESD电磁脉冲注入时，通过PN结的峰值电流为acpabcUUIRRR=++(1)放电时间常数为pabcaτ=(R+R+R)C(2)静电电磁脉冲放电电流I(t)随时间t呈指数下降，其关系式为ppI(t)=Iexp(t/τ)-Bell模型[22]可知，通过求解1维热传导方程，可得PN结上升温度ΔTj与注入ESD电磁脉冲的功率及脉宽tp的关系式为0.50apjefpΔπRPtTAρKC=(6)式中R0为无量纲常数，R0≈1。则器件毁伤的温度为jjT=ΔT+25(7)3实验结果与分析3.1ESD注入敏感度分析前期研究结果表明，此类晶体管对ESD电磁脉冲的最敏感端对不是半导体三极管中的发射结，而是集电结[13-16]。为了验证这一理论的正确性，本文对微波半导体器件的静电放电损伤机理进行了研究。在ESD实验中，主要对电流放大倍数hFE、集电极-发射极反向漏电流CEOI、发射结反向漏电流EBOI放电损伤机理-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港液压弯管机折弯机滚弧机 转载