聚合物电介质由于具有较低的介质损耗、较高的电气强度、可加工性和分子结构可设计性等特点而被广泛应用于介电绝缘领域。然而,新一代功率电子产品对电介质薄膜的耐温性和介电性能提出了更高的要求。本文针对耐高温聚合物电介质,从分子设计的角度对如何提高介电性能进行了综述,并展望了未来的发展方向。 绝缘材料2018，51(11)注。大量研究人员开展了耐高温聚合物电介质的设计和制备工作，即基于耐高温聚合物，通过分子结构设计，在保持低介质损耗和高电气强度的前提下进一步提高介电常数，以获得高的能量存储密度。1聚偏氟乙烯（PVDF）及其共聚物大多数聚合物中化学键的偶极矩较低电容器薄膜研究进展-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港液压滚圆机滚弧机折弯机，因而通常其电气强度高，但是介电常数低。PVDF是重复单元结构为-(CH2-CF2)-的铁电聚合物。F原子具有较高的电负性（4.193）， 

转载 F原子与H原子显著的电负性差异使其具有高偶极矩（1.92D）。同时，F原子尺寸较小（范德华半径为1.35），C-F键的堆积密度高[18]，根据克劳修斯-莫索提公式，较高的偶极子密度导致其介电常数较高。PVDF的二元共聚物聚偏氟乙烯六氟丙烯P(VDF-HFP)的性能与PVDF类似，二者都是介电常数较高，同时介质损耗过高，导致放电能量密度的提高并不显著。如图1中电滞回线所示，虽然P(VDF-HFP)在充电过程中存储了大量能量，然而只有小部分放电为有用功[19]。图1不同PVDF共聚物的电滞回线降低铁电相的尺寸可以有效降低介质损耗。通过向分子结构中引入“缺陷”结构，破坏宏观尺度的铁电相，获得驰豫铁电行为，表现为比较窄的电滞回线。例如，基于PVDF的三元共聚物聚偏氟乙烯三氟乙烯氟氯乙烯P(VDF-TrFE-CFE)，少量大体积CFE单元作为缺陷，将大铁电相破坏为纳米相后，介质损耗大幅降低（图1）。不过，随着共聚单元的引入，PVDF基聚合物的熔点降低，如P(VDF-TrFE-CFE)的熔点约为120℃，加之居里温度较低，限制了PVDF基聚合物的高温应用。2聚硫脲（PTU）PTU是分子结构中含有-NH-C电容器薄膜研究进展-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港液压滚圆机滚弧机折弯机  转载